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Service List金属蒸着装置

装置について

装置写真

半導体デバイスのコンタクト形成のために各種金属を蒸着するための装置です。所望の金属ソースを抵抗加熱により蒸発させ、半導体基板上に金属薄膜を堆積します。ほとんどの半導体デバイスは、電極から電流を流す必要があり、金属蒸着は必須のプロセスとなります。どのようなサイズのチップでも蒸着可能です。

装置仕様

メーカー・形式ULVAC・VPC-1100
ベルジャー内到達真空度1×10-3<.sup>Pa
加熱方式抵抗加熱型(タングステン・ボート他)
加熱用電源0~10V MAX150A
同時蒸着3種(切替式)
膜厚制御水晶発振式
蒸着金属Au,Ti,Al,Ni etc.

稼働状況

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金属蒸着装置