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Service ListプラズマCVD装置

装置について

装置写真

半導体ウェハー上に絶縁膜としてのSiO2膜を堆積させる装置です。TEOS(Tetraethyl orthosilicate)ガスと酸素ガスをチャンバー内に導入し、高周波によってプラズマを発生させることで、比較的低温でSiO2膜が成膜可能であり、半導体プロセスにおいて有効な手法となります。トランジスタのゲート酸化膜、表面パシベーション、半導体素子分離、マスクなど幅広く利用されています。

装置仕様

メーカー・形式日本真空技術株式会社(ULVAC)・UPC-3000S
成膜材料SiO2
原料ガスTEOS+O2
成膜室  ベース真空度7×10-5Pa  成膜時圧力 6~133 Pa
成膜速度1nm/min 以上
基板温度最大400℃(ランプ加熱)
基板サイズ3”φウェハー以内(チップサイズ可)
準備室 真空度7×10-4Pa  基板予備加熱:300℃
膜厚分布±10%以内

稼働状況

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プラズマCVD装置