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Service Listイオン注入装置

装置について

装置写真

半導体ウェハーの導電性を制御するために、不純物イオンを注入する装置です。注入元素をイオン化させ、高電圧(数十kV)をかけることでそのイオンを加速してウェハー表面に注入します。表面から数十nm~数百 nmの深さに注入されたイオンは、半導体中でドナーやアクセプターとして働き、半導体をn型やp型に変化させます。コンピュータのCPUやメモリを構成する半導体集積回路の中に敷き詰めれたトランジスタ、自動車にも利用されるパワーデバイス、太陽電池、発光ダイオード(LED)など、今日どこにでも利用されている半導体デバイスの作製には欠かせない装置です。
特に本装置は研究用なので、小さな不定形のチップ基板へも注入可能です。

装置の構造と原理

装置仕様

メーカー・形式ULVAC・IM-200-RD
注入エネルギー25~200 keV
注入イオン種Ar,BF2,P,As,Si
ウエハ注入角度0~10°可変
ウエハ処理室/バッチ式4枚/バッチ
試料サイズ3インチウェハー以内、チップ形状可
ドーズ精度1×1014イオン/cmで68%が±σ以内  98%が±3σ以内
ウエハ面内均一性(7°入射)2”ウエハσ≦1.0%

稼働状況

2018年11月
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