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Service List集束イオンビーム試料作製装置

原理及び特徴

液体金属(Ga)イオン源で発生させたイオンビームを利用した試料加工装置です。 イオン源より引き出したイオンビームを静電レンズで収束し試料上を走査させると、 2次電子が発生して走査画像を形成します。 また、ビーム電流を調整して一定の領域にビームを走査させることにより、 スポットでのピンポイント加工やラインの高速加工が可能となります。

仕様(日本電子:JEM-9310FIB)

イオン源Ga液体金属
加速電圧5~30kV(5kVステップ)
倍率x50(視野探し)/x150~x300,000
像分解能8nm(30kV時)
最大ビーム電流10nA(30kV時)
可変絞り5段(モータ駆動)
加工形状矩形、ライン、スポット
試料ステージTEM試料用サイドエントリーゴニオメータステージ

使用例

半導体、金属、セラミックス等のSTEM・TEM試料作製やSEM観察用の断面加工など

図11-1 加工例

試料:Si基板上の12.4×3.3μmの領域にカーボン保護膜を堆積後、Dose:5nC/μm2として矩形を組合せて加工

図11-2 硬質クロムメッキ被膜(HCP)の断面観察

図はメッキ被膜の故障解析において、本装置により断面試料を作成しEPMAで観察した反射電子組成像です。母材と被膜の間に異物の存在が認められます。

稼働状況

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集束イオンビーム試料作製装置